汉中光分路器厂商

内部由一个PLC光分路器芯片和两端的光纤阵列耦合组成。芯片采用半导体工艺在石英基底上生长制作一层分光波导，芯片有一个输入端和N个输出端波导。然后在芯片两端分别耦合输入输出光纤阵列。
目前市场上主流的分路器主要基于两种技术形式：熔融拉锥型(Fused Biconical Taper, FBT)和平面光波导(PLC)型。同样的，两种技术形式孰优孰劣，这里不作评论。无论基于何种技术形式的分路器，都是基于1 x 2基本结构的级联而成。FBT的1 x 2结构是一耦合器，而PLC的是一Y分支结构。这个看似简单的Y分支构件，其实并不简单，因为分路器的性能优劣很大程度上就是由它决定的。如何设计一个性能优异的Y分支结构属于技术机密(Classified technology)，这里不便讨论。这里仅就基于平面光波导技术的一个Y分支结构的分路器，即1 x 2分路器的工作原理作一简介。其实也就是从物理本质上粗略地解释为什么1 x 2分路器无论是上行，还是下行信号，其插入损耗都是3 dB。
1 x 2分路器的功能结构可以用图1(a)的框图来表示：一个单模输入波导，两个单模输出波导。中间用来分束的结构有很多种，这里只给出了3种结构：图1(b)的定向耦合器型(Directional Coupler, DC)，图1(c)的无间距定向耦合器型(Zero-Gap Directional Coupler, ZGDC)，以及图1(d)的模斑转换器型(Spot Size Converter, SSC)。定向耦合器型和零间距定向耦合器型输入端都只用其中一个端口，并且无间距定向耦合器型其实是多模干涉型(Multi-Mode Interference, MMI)。现行市场上热卖的PLC分路器都是SSC型的，之所以给出另外两种，是为了进行对比分析。

PLC型是微光学元件型产品，采用光刻技术，在介质或半导体基板上形成光波导，实现分支分配功能。
（2）相对于熔融拉锥式分路器成本较高，特别在低通道分路器方面更处于劣势
（4）单只器件分路通道很多，可以达到32路以上。
外部由ABS盒子和方形钢管，光缆及光纤连接头。
epon技术中分光器的合理损耗是什么算的?光分路器箱比如说我OLT的pon口出来测的光功率是3,经过一个1分4的分光器之后4个口出来的光功率拿中兴设备来举例：C200/C220光功率也就是OLT：接收：-6~-27db发送： 2~ 7ONU终端：接收光功率：-8～??-24db，发送光功率： 4～～-1db你说的那属于插损，应该这么算： 分光器插损：1分2大约3db，每增加一倍增加3db法兰引入插损：0.5db/个熔接头引入插损：0.1db/个光纤衰减：下行1490nm光纤衰减系数0.36db/km上行1310nm光纤衰减系数0.42db/km 分光器分光后到OUN有没有距离的限制？较近单位在调试安装EPON设备，想从OLT安装光分路器进行分光，请问下此种情况光分路器分光后到OUN有没有距离上的限制？如果有的话是多少？有距离的限制。按照你说的情况是在机房OLT侧进行集中分光，分光后的传输距离，取决于OLT PON口的发射功率和接收灵敏度，ONU的接收灵敏度和发射功率，选用的光分路器的分光比和损耗，还与选用的光缆，熔接点，适配器等有关。通常EPON系统在进行1×32分光后，能够传输20Km，但实际上很多厂商的ONU可能仅支持10Km。总之，由ODN的光功率预算决定，所以还是要具体情况具体分析。光分路器箱

分光器的插入损耗是指每一路输出相对于输入光损失的dB数，其数学表达式为：Ai=-10lg Pouti/Pin，其中Ai是指*i个输出口的插入损耗；Pouti是*i个输出端口的光功率；Pin是输入端的光功率值。 附加损耗。